Власне і резонансне двофотонне поглинання напівпровідникового кристалу ZnGeP2

Abstract

Стаття присвячена результатам досліджень двофотонного поглинання в напівпровідниковому кристалі ZnGeP2. Виконаний комплекс кінетичних, інтенсивнісних, спектральних, поляризаційних і кутових експериментальних досліджень ZnGeP2 тетрагональної модифікації, в результаті яких були одержані спектри власного двофотонного поглинання (ВДФП). Результати дослідження ВДФП корелюють з розвиненою в літературі теорією для дозволено-забороненого типу ДФП в напівпровідниках з врахуванням континуальних екситонних станів.

Статья посвящена результатам исследований двофотонного поглощения в полупроводниковом кристалле ZnGeP2. Выполненный комплекс кинетических, интенсивнисних, спектральных, поляризационных и угловых экспериментальных исследований ZnGeP2 тетрагональной модификации, в результате которых были получены спектры собственного двухфотонного поглощения (ВДФП). Результаты исследования ВДФП коррелируют с развитой в литературе теорией для разрешено-запрещенного типа ГФУ в полупроводниках с учетом континуальных экситонных состояний.

The article is devoted to the results of the two-photon absorption studies in semiconductor crystal ZnGeP2. The complex kinetic intensyvnisnyh, spectral, polarization and angular experimental studies ZnGeP2 tetragonal modification, in which spectra were obtained by two-photon absorption own (VDFP). The survey results correlate VDFP developed in the literature theory allowed for the forbidden-type semiconductors DFP incl continuum exciton states.