Експериментально отримані для ZnSe люкс-амперні характеристики (ЛАХ) рентгенопровідності кристалів ZnSe мають надлінійний характер у діапазоні температур від 8 до 420 К. Визначено, що зміна температури обумовлює зміну співвідношення між кількістю неглибоких та глибоких пасток, які змінюють характер ЛАХ. Проведене теоретичне обґрунтування кінетики рентгенопровідності показало, що значення максимальної накопиченої світлосуми на глибоких пастках не залежить від інтенсивності збудження. Тільки для мілких і фосфоресцентних пасток накопичена світлосума залежить від інтенсивності збудження. Виявлено, що саме ці пастки в напівпровідниковому матеріалі обумовлюють надлінійність ЛАХ.
Obtained experimentally for ZnSe the lux-ampere characteristics (LAC) of X-ray conductivity of ZnSe crystals have a sublinear character in a temperature range between 8 and 420 K. Determined that change of temperature causes a change of a ratio between the quantity of shallow and deep traps that changes the character of LAC. The carried-out theoretical reviewing of the kinetics of X-ray conductivity showed that the value of the most accumulated light sum on deep traps does not depend on the excitation intensity. Only for shallow and phosphorescent traps the accumulated light-sum depends on the excitation intensity. It was found that these traps in semiconductor material cause
sublinearity of LAC.
