Cathodoluminescence in Doped CdP2 and CdSiP2 Crystals

Abstract

Some general features of the behaviour of Cu, Zn, Bi, and Mn impurities in CdSiP, and CdP, orystals are studied by analyzing electron beam-excited luminescence spectra measured in a temperature range of 6 to 300 K, as well as by determining their electrical parameters. The impurities are established to substitute mainly the cadmium in the crystalline lattice and to promote the : formation of complexes of defects, which are radiative recombination centers. Cadmium vacancies as well participate in the defect complex formation processes. A radiation ascribed to interstitial edmium-type defects, is discovered in CdSiP, crystals.

Исследованы некоторые общие закономерности поведения примесей Си, п, В, Мп в кристаллах Сар, и СазрР,. Для этого проанализированы их спектры люминесценции при возбуждении электронным пучком, измеренные в температурном интервале 6 до 300 К, а также определены их электрические параметры. Обсуждается вопрос о роли примесей в формировании центров излучательной рекомбинации. Установлено, что эти примеси замещают преимущественно кадмий в кристаллической решетке и способствуют образованию комплексов дефектов, являющихся центрами излучательной рекомбинации. В процессах дефектообразования комплексов принимают участие также вакансии кадмия. В кристаллах Са, обнаружено излучение, которое связывается с дефектами типа междоузельный кадмий.