Some general features of the behaviour of Cu, Zn, Bi, and Mn impurities in CdSiP, and CdP, orystals are studied by analyzing electron beam-excited luminescence spectra measured in a temperature range of 6 to 300 K, as well as by determining their electrical parameters. The impurities are established to substitute mainly the cadmium in the crystalline lattice and to promote the
: formation of complexes of defects, which are radiative recombination centers. Cadmium vacancies as well participate in the defect complex formation processes. A radiation ascribed to interstitial edmium-type defects, is discovered in CdSiP, crystals.
Исследованы некоторые общие закономерности поведения примесей Си, п, В, Мп в кристаллах Сар, и СазрР,. Для этого проанализированы их спектры люминесценции при возбуждении электронным пучком, измеренные в температурном интервале 6 до 300 К, а также определены их электрические параметры. Обсуждается вопрос о роли примесей в формировании центров излучательной рекомбинации. Установлено, что эти примеси замещают преимущественно кадмий в кристаллической решетке и способствуют образованию комплексов дефектов, являющихся
центрами излучательной рекомбинации. В процессах дефектообразования комплексов принимают участие также вакансии кадмия. В кристаллах Са, обнаружено излучение, которое связывается с дефектами типа междоузельный кадмий.
