ISSN: 2310-8290
Показати скорочений опис матеріалу
dc.contributor.author | Горбань, И. С.![]() |
|
dc.contributor.author | Корец, Николай Саввич![]() |
|
dc.contributor.author | Теннакун, М.![]() |
|
dc.contributor.author | Тычина, И. И.![]() |
|
dc.contributor.author | Чукичев, М. В.![]() |
|
dc.date.accessioned | 2021-03-23T12:28:08Z | |
dc.date.available | 2021-03-23T12:28:08Z | |
dc.date.issued | 1981 | |
dc.identifier.citation | Люминесценция кристаллов дифосфида кадмия при возбуждении электронным пучком / И. С. Горбань, Н. С. Корец, М. Теннакун, И. И. Тычина, М. В. Чукичев // Физика и техника полупроводников / РАН, Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе. - СПб, 1981. - Том. 5, Вып. 1. - С. 55-60. | ua |
dc.identifier.uri | http://enpuir.npu.edu.ua/handle/123456789/33500 | |
dc.description.abstract | В области 2.024 - 2.140 эВ наблюдается структурный спектр излучения, который связан с излучением свободных экситонов и экситонов, локализованных на пзоэлёктронных примесях, обусловленных, по всем данным, азотом, атомы которого замещают фосфор в узлах кристаллической решетки. Две линии при энергиях 2.093 и 2.096 эВ наблюдаются в кристаллах p-типа и связаны с излучением экситонов, локализованных на нейтральных акцепторах, а линия 2.095 эВ наблюдается в кристаллах n-типа и может быть отнесена к излучению экситонов, локализованных на нейтральных донорах. Исследовано излучение кристаллов, которые подвергались отжигу в насыщенных парах кадмия. Обнаружена полоса излучения с максимумом при 1.72 эВ, которую можно связать с кадмием, внедренным в междоузлия кристаллической решетки. | ua |
dc.language.iso | ru | ua |
dc.subject.classification | 621.315.592 | ua |
dc.title | Люминесценция кристаллов дифосфида кадмия при возбуждении электронным пучком | ua |
dc.type | Article | ua |