ISSN: 2310-8290
Показати скорочений опис матеріалу
dc.contributor.author | Бычков, А. Г.![]() |
|
dc.date.accessioned | 2018-08-15T10:12:20Z | |
dc.date.available | 2018-08-15T10:12:20Z | |
dc.date.issued | 1971 | |
dc.identifier.citation | Бычков, А. Г. Получение и комплексное исследование физических свойств тройного полупроводникового соединения CdSiP2 : автореф. дис. ... канд. фіз.-мат. наук : 01.049 / А. Г. Бычков ; [науч. рук. : Н. А. Горюнова, И. И. Тычина] ; М-во просвещения УССР, Киевский гос. пед. ин-т им. А. М. Горького. - Киев, 1971. - 17 с. | ua |
dc.identifier.uri | http://enpuir.npu.edu.ua/handle/123456789/20405 | |
dc.language.iso | ru | ua |
dc.publisher | Киевский гос. пед. ин-т им. А. М. Горького; Книжная типография № 5 | ua |
dc.title | Получение и комплексное исследование физических свойств тройного пролупроводникового соединения CdSiP2 | ua |
dc.type | Other | ua |