ISSN: 2310-8290
Показати скорочений опис матеріалу
dc.contributor.author | Алтайский, Ю. М. | |
dc.date.accessioned | 2018-07-23T08:41:44Z | |
dc.date.available | 2018-07-23T08:41:44Z | |
dc.date.issued | 1968 | |
dc.identifier.citation | Алтайский, Ю. М. Исследование электрических и оптических свойств p-n переходов в β-модификации карбида кремния : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 049 - физика полупроводников и диэлектриков / Алтайский Ю. М. ; [науч. рук. Н. П. Калабухов] ; Киевский гос. пед. ин-т им. А. М. Горького. - Киев, 1968. - 18 с. | ua |
dc.identifier.uri | http://enpuir.npu.edu.ua/handle/123456789/20093 | |
dc.description.abstract | Общей целью реферируемой работы и явилось путем комплексного исследования ряда взаимосвязанных электрических и оптических свойств р-п переходов изучить основы механизма неравновесных процессов -в ^-модификации карбида кремния, а также выяснить технические возможности З-БЮ как материала для новых полупроводниковых приборов (выпрямители, терморезисторы, фотоэлементы, фотодиоды и импульсные источники света). Диссертация отражает одно из направлений в цикле исследования свойств и применения карбида кремния в полупроводниковой технике, проводимых в проблемной лаборатории полупроводников Киевского ордена Ленина политехнического института. | ua |
dc.language.iso | ru | ua |
dc.publisher | Киевский государственный педагогический институт им. А. М. Горького | ua |
dc.subject | электрическии свойства | ua |
dc.subject | оптические свойства | ua |
dc.title | Исследование электрических и оптических свойств p-n переходов в β-модификации карбида кремния | ua |
dc.type | Other | ua |