Легирование монокристаллов полупроводниковых фосфидов фосфидами переходных металлов

Abstract

Исследование легирования CdP2, ZnP2, ZnGeP2 тугоплавкими металлами (Мп, Fe, Со) показало, что для введения гарантированного количества переходного металла, равномерного его распределения в объем монокристаллов и уменьшения концентрации структурных дефектов легирующую добавку следует вводить в виде фосфида переходного металла. Качество легированных монокристаллов оценивалось по оптическому пропусканию, концентрации свободных носителей, плотности дислокаций в различных участках образцов, содержание легирующей примеси в которых определялось методом масс-спектроскопии вторичных ионов.