Исследование электрических и оптических свойств p-n переходов в β-модификации карбида кремния

Алтайский, Ю. М.

dc.contributor.author	Алтайский, Ю. М.
dc.date.accessioned	2018-07-23T08:41:44Z
dc.date.available	2018-07-23T08:41:44Z
dc.date.issued	1968
dc.identifier.citation	Алтайский, Ю. М. Исследование электрических и оптических свойств p-n переходов в β-модификации карбида кремния : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 049 - физика полупроводников и диэлектриков / Алтайский Ю. М. ; [науч. рук. Н. П. Калабухов] ; Киевский гос. пед. ин-т им. А. М. Горького. - Киев, 1968. - 18 с.	ua
dc.identifier.uri	http://enpuir.npu.edu.ua/handle/123456789/20093
dc.description.abstract	Общей целью реферируемой работы и явилось путем комплексного исследования ряда взаимосвязанных электрических и оптических свойств р-п переходов изучить основы механизма неравновесных процессов -в ^-модификации карбида кремния, а также выяснить технические возможности З-БЮ как материала для новых полупроводниковых приборов (выпрямители, терморезисторы, фотоэлементы, фотодиоды и импульсные источники света). Диссертация отражает одно из направлений в цикле исследования свойств и применения карбида кремния в полупроводниковой технике, проводимых в проблемной лаборатории полупроводников Киевского ордена Ленина политехнического института.	ua
dc.language.iso	ru	ua
dc.publisher	Киевский государственный педагогический институт им. А. М. Горького	ua
dc.subject	электрическии свойства	ua
dc.subject	оптические свойства	ua
dc.title	Исследование электрических и оптических свойств p-n переходов в β-модификации карбида кремния	ua
dc.type	Other	ua